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-+“大日本印刷”06年开始采用喷墨技术生产彩色滤光片
1476 days ago
采用喷墨技术的彩色滤光片样品   “大日本印刷”宣布将于2006年第2季度开始采用喷墨技术生产彩色滤光片。这是一种使用第6代(1500mmX1800mm)玻璃基板的彩色滤光片。将投入约250亿日元建设生产线,预计生产能力为月产160万枚(按14英寸产品换算)。   采用喷墨技术的最大优点是削减成本。“成本可比过去的彩色滤光片降低20%”(“大日本印刷”)。在过去一直采用光刻技术的R(红)、G(绿)、B(蓝)材料形成工序中将改为使用喷墨技术。由于不需使用光掩膜,而且材料用量也仅为过去的约1/10,因此在着色工序中可降低约40%的成本。考虑到过去使用光刻技术的黑色矩阵(Black Matrix)和垫片形成工序,所以整个彩色滤光片的成本削减效果将达到20%。   初期投资中也实现了削减成本的目的。原因是不再需要曝光和成像工艺,因此设备变得简单。这次约250亿日元的设备投资额“大约相当于过去使用光刻工艺时的设备投资额的60%”(“大日本印刷”透露)。   不单能降低成本,该技术还达到了提高性能的目的。原因在于过去在光刻工序中需要使用的感光材料“具有吸收蓝色波长区域内的光线的特性”(“大日本印刷”称)。由于不再需要这种感光材料,因此光的透过率得到了提高,由此“白色光的亮度提高了5%”(“大日本印刷”)。   “大日本印刷”今后还准备将喷墨技术推广到使用第8代玻璃基板的色彩滤光片生产过程中。力争2006年下半年开工,准备再投入约300亿日元,建设新的生产线。   运用上述喷墨技术的彩色滤光片将主要用于大屏幕电视机采用的液晶面板。对于喷墨技术存在的精度问题,该公司表示“从目前来看,尽管像素间隔低于70μm时问题较为严重,但对于20英寸以上的电视机用途来说不会有问题”。该技术将首先面向日本国内的液晶面板厂商,对于中小尺寸电视面板和电脑液晶面板,该公司表示现阶段仍将继续使用过去的光刻技术。(日经BP社/小谷 卓也,田中 直树)
-+台湾金属中心开发大尺寸靶材制造技术
1476 days ago
随着镀膜领域不断扩展,溅镀靶材之应用领域及使用量也逐渐增加,台湾光记录媒体、平面显示器、半导体等相关产业均需使用大量靶材。   继两年前建立国内靶材制造自主技术能力,金属工业研究发展中心更进一步开发大尺寸靶材接合C-SCAN检测系统,可检测400X600mm面积之金属或非金属靶材/背板接合接口。扫描速度最高可达500mm/秒,检测精度可达0.5mm。   台湾蒸镀靶材每年约有150亿元台币市场需求,台湾靶材接合厂除海外靶材专业厂自行投资外,本地厂商大多依赖技术移转,相关材料的供应亦以进口为主。但靶材材料常因使用领域而变化,常会有不同需求出现,因此,不少业者针对靶材制造之垂直分工领域,进行靶材相关的结合技术与设备开发。   金属中心开发出的靶材结合设备,具有全平面焊接温差能控制在5℃以内的热板均温特性,有效解决产品不良率偏高的问题,其中,热板表面经特殊处理,可使软焊填料不沾黏于表面,四周有填料回收槽设计,可使软焊填料易于回收。此次开发出来的C-Scan超音波扫描系统,扫瞄速度达 500mm/秒以上,效率为进口扫描系统的二倍以上,以400X600mm面积方形靶材为例,检测精度可达0.5mm以下,扫描影像之分辨率清晰,方便品管作业需求;C-Scan不但设备维护及功能扩充性佳,成本亦仅及进口设备之三分之一,检测有效接合面积在95%以上,完全取代进口设备。   金属中心认为,光盘片、IC、LCD产业在国际上有很重要地位,靶材市场急速扩大,台湾终将成为全世界薄膜溅镀靶材最大消费区域,光盘蒸镀用靶材、TFT-LCD蒸镀用靶材、彩色滤光板蒸镀用靶材,台湾用量超过50亿新台币,市场商机庞大;未来靶材已朝大型化方向发展,接合技术未来的研发重点将着重于防止应力变形研究,使接合品质检测软硬件设备功能更人性化与高速化,能更有效降低生产成本。(经济日报)
-+三星加入SEMATECH 参与新一代液浸技术开发
1476 days ago
韩国三星电子加入美国的半导体研究开发联盟——International SEMATECH。三星计划派遣数名技术人员,参加该联盟45nm(hp65)以上曝光技术——液浸ArF曝光和EUV(Extreme Ultra Violet)曝光技术的开发项目,以及栅极绝缘膜高介电率(high-k)材料和层间绝缘膜低介电率(low-k)材料等新型材料的开发项目。   三星2005年4月加入了SEMATECH旗下的International SEMATECH Manufacturing Initiative(ISMI),但参与SEMATECH本部的开发项目尚属首次。ISMI是2004年作为SEMATECH的分支机构结成的联盟,为提高半导体工厂的生产能力、降低每枚晶圆的生产成本等致力于相关开发。SEMATECH和ISMI目前的成员有美国英特尔、德国英飞凌科技、台湾台积电(TSMC)和松下电器产业等。   除SEMATECH外,三星还加入了由日本半导体尖端技术公司(Selete)、比利时IMEC和美国IBM等主导的“Albany NanoTech”等研发联盟。(日经BP社/大下 淳一)
-+日本用COF底材技术开发出双面柔性底板
1476 days ago
实现了20μm贯通孔径 从目前的情况来看,焊盘比布线宽度大   日本Casio Micronics公司日前开发出了形成直径20μm微细贯通孔的柔性双面底板。过去的同类柔性底板的贯通孔直径为100μm。贯通孔直径缩小到20μm后,可将底板面板缩小至过去的1/4。或者说以同样的面积,可减少底板层数。该公司将把其作为可适应便携设备等产品的超薄轻量化及低成本化要求的柔性底板来推广。计划2006年4月建成一条卷至卷方式(roll to roll)的试产线。   Casio Micronics公司在液晶驱动IC用COF(薄膜芯片)底板领域已处于业界领先水平。COF底板在聚酰亚胺底材与铜布线层之间没有粘接层,采用的结构是在芯片正下方利用聚酰亚胺底材支持铜布线。因此便于布线微细化,适合于驱动IC的多引脚化。目前在12英寸以上大尺寸液晶面板配备的驱动IC中,有60%采用了这种COF底板。据该公司预测,2006年这一比例将增至70%,2007年增至80%。   此次的双面柔性底板应用了这种COF底材技术。采用的结构是在聚酰亚胺底材的双面形成铜布线,再利用贯通孔将两面的铜布线连接起来。贯通孔的形成,则是先利用YAG激光打孔,将孔洗净后,在孔中镀铜。孔越细,洗净和镀铜处理就越难。“为防止铜的剥落和空鼓的产生,需要采用特别的技术”(Casio Micronics公司开发部部长青木久)。“从业界的发展趋势来看,过去一直认为2年后贯通孔直径才能缩小到40μm”。   而此次直径20μm贯通孔的实现,使上述进程大大提前。铜的厚度为10μm,聚酰亚胺的厚度为25μm,布线宽度与间隔均为20μm。对于贯通孔外部的焊盘直径,考虑到贯通孔的位置误差,目前为75μm,量产时力争达到50μm。因此,从双方的对比情况来看,焊盘直径要比布线宽度大。   该公司“今后将继续推进底板布线的微细化”,2007年的目标是将贯通孔径缩小至10μm,布线与焊盘宽度实现同样的“直线结构”。(日经BP社/朝仓 博史)
-+东芝获ASML公司曝光掩膜技术
1476 days ago
东芝日前获得了荷兰ASM Lithography公司(ASML)曝光掩膜技术“Scattering Bar”的授权。将用于该公司的生产线进行量产。到目前为止取得该技术授权的芯片厂商和硅代工厂商已经超过20家,但在日本国内宣布获得该授权的企业“东芝还是首家”(日本ASML)。   Scattering Bar技术用于修正掩膜设计图案及转印图案的误差,属于“OPC(optical proximity correction,光接近修正)”技术的一种。将辅助图案预先添加到曝光掩膜的设计图案上,转印图案时使2种图案的转印光发生干涉。由此就能对设计图案和转印图案的误差进行修正。在设计图案边缘部分以外的位置添加辅助图案,在这一点上有别于普通的OPC技术。   IBM等著名芯片厂商已经从ASML公司获得该技术的授权,并且已经应用于量产。根据“在研究开发阶段使用此项技术不一定非要取得授权”(日本ASML)这种情况来看,在日本国内除东芝外,其他芯片厂商和掩膜厂商很可能已经在研发生产线上导入了该技术。   提供OPC相关设计工具的EDA供应商也已经从ASML公司取得Scattering Bar技术的授权。比如,被美国Synopsys公司收购的原美国数字技术公司(Numerical Technologies, Inc.)和美国Cadence设计系统公司,已分别于2002年1月和2004年6月宣布与ASML公司签订了相关授权合同。(日经BP社/大下 淳一,小岛 郁太郎)
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